西电郝跃院士、西安交大周磊簜团队与晟光硅研杨森协同攻关丨低温超临界流体处理在退化β相氧化镓基二极管中恢复与增强电学性能的应用
西安电子科技大学郝跃院士与西安交通大学周磊簜副教授的联合团队，携手晟光硅研杨森等研究人员，在《Journal of Alloys and Compounds》上发表了题为“ Low-temperature supercritical fluid treatme
郝跃
院士开讲啦！中国科学院院士郝跃结合半导体芯片谈创新人才培养
“总有很艰难的时候，一头雾水、毫无办法。这时，更要沉住气、定下心，在你认为最无望的地方向下扎根，终会等来柳暗花明。”9月29日下午，西安电子科技大学明德大讲堂第3期、鸿儒讲堂第17期暨中国共产党人精神谱系宣讲报告会开讲，郝跃院士为全体师生作《从半导体芯片谈创新
西电郝跃院士团队：取得百安千伏级高压氧化镓功率器件研究突破
近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M
西电郝跃院士团队张进成教授、周弘教授取得百安千伏级高压氧化镓功率器件研究突破
近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M
西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授发表金刚石基氧化镓热管理相关成果
近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队张进成教授、宁静教授等在宽禁带半导体材料集成领域取得突破性进展，研究成果以“Van der Waals β-Ga2O₃thin films on polycrystalline diamond substrates