院士开讲啦！中国科学院院士郝跃结合半导体芯片谈创新人才培养
“总有很艰难的时候，一头雾水、毫无办法。这时，更要沉住气、定下心，在你认为最无望的地方向下扎根，终会等来柳暗花明。”9月29日下午，西安电子科技大学明德大讲堂第3期、鸿儒讲堂第17期暨中国共产党人精神谱系宣讲报告会开讲，郝跃院士为全体师生作《从半导体芯片谈创新
郝跃
西电郝跃院士团队：取得百安千伏级高压氧化镓功率器件研究突破
近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M
西电郝跃院士团队张进成教授、周弘教授取得百安千伏级高压氧化镓功率器件研究突破
近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M
西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授发表金刚石基氧化镓热管理相关成果
近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队张进成教授、宁静教授等在宽禁带半导体材料集成领域取得突破性进展，研究成果以“Van der Waals β-Ga2O₃thin films on polycrystalline diamond substrates
重要进展！西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在Nature子刊上发表金刚石基氧化镓相关成果
近日，由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关，在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展，相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3thin films on polycrystalline diamond substrates
西电郝跃院士团队张进成教授、宁静教授在金刚石基氧化镓热管理领域 取得突破性进展
半导体产业网获悉：近日，由西安电子科技大学研究团队开展技术攻关，在宽禁带半导体材料集成领域取得取得突破性进展，相关成果2025年8月31日以“Van der Waals β-Ga2O3 thin films on polycrystalline diamond
郝跃院士 张进成教授团队揭示（110）晶面单晶金刚石扩大生长机理
金刚石作为超宽禁带半导体的典型代表，因其超宽禁带、高击穿场强、高载流子迁移率及出色的热导率等特性，成为高频、大功率、高温及抗辐射器件的理想材料。其中，（110）单晶金刚石在氢终端以及n型掺杂的电子器件应用中展现出独特优势，但基于（110）单晶金刚石衬底的同质外